众所周知，MOS在电路中起着非常重要的作用，那么MOS有哪些失效模式呢？

一般来说，金属氧化物半导体的失效模式大致可分为五类:

1.雪崩故障:如果在D -S极之间施加超过器件额定VDSS的浪涌电压，达到击穿电压V(BR)DSS(根据击穿电流不同而不同)，超过一定能量后就会发生故障。

2.SOA(安全工作区)故障:超过漏极电流Id、漏极-源极电压VDSS、沟道损耗Pth(W)作为器件的最大额定值，也就是说，大多数故障都是由于超过安全区域引起的过热引起的。

3.内置二极管失效:D和S之间形成的寄生二极管运行时，器件关断时二极管会产生定向电流，如果定向电流超过二极管的容差，二极管就会失效。

4.寄生振荡引起的故障:这种故障模式在并联时特别容易发生。当器件高速反复开关时，MOSFET的节点电容Cgd(Crss)和G(栅极)引脚电感Lg容易形成寄生振荡。当谐振频率(ωL=1/ωC)建立时，MOS中的寄生三极管可能导通，从而导致MOS失效。

5.栅极过压和静电故障:栅极和源极之间的过压引起的击穿损坏。